| 型号： | HGT1S10N120BNST | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 |
| HGT1S10N120BNST PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图 | IGBT TO-3PN Package |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| IGBT 类型 | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2.7V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 35A |
| 功率 - 最大 | 298W |
| 输入类型 | 标准 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | HGT1S10N120BNSTCT |